AI光通訊供應鏈的中國危機：銦鎵短缺如何掐住全球算力命脈

【科技供應鏈深度報道】

走進任何一座超大規模AI資料中心，你會看到數以千計的光纖在伺服器之間穿梭，交織成一張看不見的高速公路網。支撐這一切的，是一種名為「磷化銦」（InP）的化合物半導體——它是製造高功率雷射光源的核心材料，卻也是當前AI供應鏈中最脆弱的一環。

根據TrendForce的研究報告，2025年全球800G以上光學收發器出貨量將達到2400萬個，2026年更將暴增至6300萬個，成長幅度高達2.6倍。這種幾何級數的增長，讓上游雷射供應商陷入了前所未有的產能焦慮。更糟的是，輝達（Nvidia）為確保自家供應安全，透過策略性預付款方式，鎖定了主要電吸收調製雷射（EML）供應商的絕大部分產能，將交貨時程延後至2027年之後。

中國稀土管制：掐住全球光通訊的咽喉

真正讓局勢升級的，是中國於2025年初實施的稀土出口管制。銦和鎵這兩種在光學元件製造中不可或缺的關鍵材料，有高達六成以上的產量來自中國。LightCounting的分析指出，供應緊張已導致上游原材料價格飆漲超過五成，許多光學模組製造商發出了「不計價格，先求有貨」的緊急採購訊號。

這波短缺的影響正在向下游蔓延。根據Digitimes的報導，從800G邁向1.6T光學模片的升級已不再是單純的效能迭代，而是一個由物理瓶頸驅動的轉捩點。每個1.6T光學模組需要用到32個光學濾波片，是800G模組的兩倍。這種材料密度的提升，讓濾波片供應商承受了巨大的產能壓力。

國盛證券的研究報告進一步揭示了供應瓶頸的結構性成因。光學鍍膜所需的关键設備交貨期漫長，安裝後還需經歷繁複的工藝調試與良率爬坡階段，釋放新產能的時間落後極為明顯。即便供應商全力擴產，從規劃到量產的時間差仍可能長達12至18個月。

台灣的戰略機遇：化合物半導體外延代工

在這場供應危機中，台灣的角色反而凸顯出獨特的價值。磷化銦磊晶晶片（epitaxial wafer）是製造EML和連續波（CW）雷射的必要上游材料，而台灣磊晶代工廠在全球市場占有率超過七成。隨著主要雷射供應商忙於擴產，大量製程外包需求開始向台灣廠商流動。

相關業者透露，磊晶晶片製造商如聯亞、仲微、穎崴等，正積極擴充磊晶設備產能，以承接這波轉單效應。聯亞在美國的新廠預計於2026年動工，目標瞄準快速成長的AI基礎設施市場需求。

然而，挑戰依然嚴峻。即使磊晶代工能及時產出，磊晶片的上游——也就是銦鎵原材料本身——仍受制於中國的出口配額。根據FreshFromChina的報導，銦鎵材料從開採到高純度半導體級供應的產業鏈漫長，短期內難以找到足夠規模的替代來源。

替代方案：CW雷射與矽光子技術

面對EML的嚴重缺貨，雲端服務商和光學模組製造商正在加速布局替代技術路徑。CW雷射搭配矽光子技術的路線，因其供應商選擇更多元，正成為緩解緊迫需求的主要策略。這種架構無需將調變功能整合至單一晶片，降低了製造複雜度，也讓台灣、新加坡等地的半導體代工廠有了切入的機會。

然而，CW雷射同樣面臨產能瓶頸。TrendForce指出，CW雷射生產對設備交期和嚴苛的信賴度測試要求極高，後段的晶片切割與老化測試必須大量仰賴外包，形成另一層供應瓶頸。這種「按下葫蘆浮起瓢」的局面，凸顯出AI基礎設施供應鏈的系統性脆弱。

展望2026年，當1.6T光學模組進入大規模部署階段時，這場稀土與雷射的供應戰役才真正進入高潮。能否在材料短缺與需求暴增的夾縫中突圍，將成為決定全球AI算力布局速度的關鍵變數。