美光 Virginia 廠量產 1α 節點 美國自製 DDR4 記憶體時代來臨
美光宣布在維吉尼亞州馬納薩斯廠開始量產 1α(1-alpha)DRAM 節點,這是美國本土有史以來最先進的記憶體製造技術,產能一口氣擴大四倍。美國商務部長盧特尼克(Howard Lutnick)親赴現場致詞,形容這是「美國記憶體製造復甦」的里程碑。1α 節點專注於 DDR4 與 LP4 等長生命週期產品,主要服務汽車、國防與工業系統客戶,填補 AI 資料中心轉向 HBM 之後,傳統市場供應鏈斷層的缺口。
美光科技(Micron Technology)於2026年5月22日正式宣佈,旗下位於維吉尼亞州馬納薩斯(Manassas)的晶圓廠已開始量產 1α(1-alpha)DRAM 記憶體節點。根據美光新聞稿與《The Globe and Mail》報導,這是美國本土有史以來最先進的記憶體量產技術,美光董事長兼執行長桑jai.梅赫羅特拉(Sanjay Mehrotra)表示:「這代表我們在美國製造記憶體的承諾邁出了重要一步。」
美國商務部長盧特尼克親赴馬納薩斯廠主持典禮,直接將此投資定性為國家安全項目。他表示:「有了川普總統的領導,美光——美國唯一的記憶體公司——正在把關鍵元件的製造帶回美國。這筆高達2,000億美元的投資,將使美國的工業、汽車、國防記憶體晶片產量增加四倍。」
1α 節點屬於美光較成熟的 DRAM 技術路徑,專注於 DDR4 與 LP4 產品,服務「長生命週期」市場——包括車載資訊娛樂、軍事系統、工業控制與網通設備。與此同時,美光在愛達荷州波伊(Boise)與紐約州克萊(Clay)的兩座新廠,正在加速興建中,目標供應使用 DDR5、LPDDR5X 與 HBM 的 AI 資料中心,預計2027年中開始有首批矽晶产出。兩條路徑並行,讓美光得以同時服務成熟市場與最先進 AI 需求。
這次擴產的核心數據:馬納薩斯廠投資逾20億美元,預計於2026年底完成資格認證後正式放量。升級完成後,該廠 DDR4 晶圓產出將增加至四倍,估計每年可新增超過12億顆 DDR4 晶片,足以將目前汽車與工業客戶庫存水位從6至8週的低點,逐步拉回健康水準。美國汽車 Tier-1 供應商過去兩年因 DDR4 短缺,已多次面臨停產危機。
根據《Converge Digest》與《TechPowerUp》報導,馬納薩斯廠升級同時獲得美國 CHIPS Act 補助2.75億美元(約新台幣8.8億元),使美光在美全体の累計補助金額超過3.25億美元。此案也為當地創造逾3,100個直接製造與生態系工作機會。
從供需結構來看,AI 資料中心搶購 HBM 的熱潮,使得多數記憶體廠商將成熟節點產能大量轉移至先進記憶體,導致 DDR4 供需出現結構性缺口。美光此時擴大1α 產能,精準切入這個被競爭對手忽視的市場區間,既強化供應鏈韌性政治公關,也為自己保留了成熟的現金流業務。
參考來源
- The Globe and Mail – Micron Advances Made-in-America Memory with Manufacturing Expansion in Virginia (2026-05)
- Converge Digest – Micron Brings 1α DRAM Manufacturing to Virginia (2026-05-22)
- LavX News – Micron's Virginia Fab Starts 1α DDR4 Production (2026-05-23)
- TechOlam – Micron ramps 1α DRAM in Virginia (2026-05-22)
- TechPowerUp – Micron Advances Made-in-America Memory (2026-05)
- DailyAlpha – Micron Launches Advanced DRAM Production in Virginia (2026-05-22)