長鑫存儲 Q1 營收暴增 7.2 倍、淨賺 248 億人民幣　科創板 IPO 估值上看 3,000 億撼動全球 DRAM 格局

數字解讀：十年虧損一季還清，AI 驅動超級週期啟動

長鑫存儲招股書揭示的數字堪稱「垂直起飛」。2025 年公司營收約 56.6 億美元，2026 年第一季單季即達 70 億美元規模。獲利能力同步爆發，營業利潤、淨利潤、息稅折舊攤銷前利潤（EBITDA）全面由虧轉盈。21 世紀經濟報導指出，AI 推論需求爆發推升 DDR4、DDR5 合約價，是長鑫獲利暴增的最核心變數。InfotechLead 引述市調機構數據，2026 年第一季全球 DRAM 營收創歷史新高，CXMT 市占率從 2025 年同期的不到 4% 翻倍至 8%，首度擠下南亞科躋身前四。

DIGITIMES 英文站 2026 年 3 月 27 日報導，長鑫 2025 年全年營收已「翻倍至約 80 億美元」，主因為 AI 與資料中心需求帶動記憶體價格飆漲。該數字與 5 月 17 日招股書的最新口徑相互呼應，確認長鑫 2025 至 2026 年正處於「超級週期＋國產替代＋AI 算力飢渴」三重共振的甜蜜點。

IPO 時程與估值：1,500 億融資估值 → 上市後上看 3,000 億

長鑫 5 月遞交的更新招股書規劃於上海科創板上市，預計發行募集資金 295 億人民幣，主要用於擴產與設備採購（約 200 億設備訂單）。鳳凰網財經引述投行測算，一級市場發行底線估值已接近 2,950 億人民幣；IPO 前最新一輪融資投後估值已達 1,500 億人民幣，「上市後市值翻倍屬於行業常規預期」。Douglas Research 預估，長鑫上市後實際市值有望突破 3,000 億人民幣，正式躋身全球前十大半導體公司之列。

Reuters 5 月 18 日報導，長鑫預期上半年營收達 1,100 至 1,200 億人民幣（約 176 億美元），這個數字已逼近美光 2025 全年在中國市場的營收規模。業界普遍認為，若長鑫順利在 2026 年第三季完成定價掛牌，將是中國半導體史上最大規模 IPO 之一，並成為 A 股市場「存儲雙雄」（長鑫 + 長江存儲）格局的關鍵拼圖。

對台廠的實質衝擊：南亞科、華邦、群聯壓力升溫

長鑫量產 DDR4/DDR5 並以低於一線大廠 15-20% 的價格搶進市場，對台灣記憶體三雄形成直接競爭。南亞科 5 月合併營收雖受惠漲價效應，但法人圈已警示「中國低價新產能 2027 年開出後，南亞科在消費性與標準型 DRAM 市場的毛利率將受壓」。華邦電子則在利基型 DRAM 與 NOR Flash 維持優勢，技術差距讓其短期受衝擊程度較小。

群聯（Phison）雖以 NAND 控制 IC 為主，但與長鑫、長江存儲在企業級 SSD 市場有合作與競爭雙重關係。DIGITIMES 5 月 11 日報導指出，群聯執行長潘健成公開警告「全球 NAND 市場嚴重失衡，ASP 將持續走高且供給吃緊」，並預期 2026 年全年營收與獲利都將創新高。法人認為，群聯因同時掌握 NAND 控制 IC 與 AI 端運算（aiDAPTIV+）雙引擎，受長鑫競爭的直接壓力低於純 DRAM 廠。

美中科技戰變數：EUV 禁令與國產替代紅利的天花板

長鑫的快速崛起並非沒有天花板。美國商務部 2024 至 2025 年已多次更新出口管制規則，將 ASML EUV 與特定 DUV 設備納入限制清單。長鑫目前 1Ynm 製程仍以 DUV 多重曝光為主，相較三星與 SK 海力士已進入 1bnm EUV 製程，技術差距約 1.5 代。然而，業內人士透露長鑫正透過「國產設備＋成熟製程優化」雙軌策略，目標在 2027 至 2028 年推出 D1x 世代產品，縮小與一線大廠的位元密度差距。

另一方面，「特供版晶片」時代即將結束。DIGITIMES 5 月 30 日報導，美國晶片安全法案通過後，中國「特供版晶片」將正式終結，長鑫必須在 2027 年後面臨更嚴格的供應鏈審查。在此背景下，長鑫 IPO 募資的 295 億人民幣中，200 億用於設備採購的策略，可視為「在禁令擴大前先卡位設備產能」的關鍵布局。

後續觀察重點：長鑫掛牌時程、價格走勢、台廠防禦策略

長鑫 IPO 的三大觀察節點包括：第一，6 月底前證監會是否完成首輪問詢，若順利將於 9 月進入註冊階段。第二，下半年 DDR5 現貨價是否如 Counterpoint 預期「Q4 開始回檔」，將直接影響長鑫全年獲利預測。第三，美國 11 月大選後對中出口政策是否進一步緊縮，將決定長鑫 EUV 設備取得路徑。

對台廠而言，記憶體漲價紅利預計可延續至 2026 年底，但 2027 年後隨著長鑫、長江存儲新產能開出與美中脫鉤深化，DRAM 與 NAND 將走向「兩套供應鏈、兩套價格」的新常態。法人圈普遍建議，台廠應加速往 HBM、EUV 製程、車用與工控利基型記憶體遷移，避免與中國低價產能正面競爭。