TechEveryday2026-06-15
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CSP 搶完 2027 HBM 與 DDR5 LTA AI 動能再鎖 2028 記憶體版圖

【2026-06-15】DIGITIMES 6 月 15 日獨家報導,雲端服務供應商(CSP)已將 HBM 與 DDR5 的長約(LTA)從原本的 2027 年一口氣延展到 2028 年,三星、SK 海力士與美光 2026 年的主要記憶體產能「已全數售罄」;TrendForce 同步指出,AI 伺服器需求支撐第 2 季合約價季增 58% 至 75%,NOR 與 SLC NAND 1H26 漲幅更超過 100%,記憶體產業正式進入 40 年來最嚴重的「結構性超級循環」。

DIGITIMES 6 月 15 日以頭條獨家披露,這一波記憶體長約結構已從過去一年一簽的滾動模式,轉為一次性覆蓋 2027 至 2028 兩年期的「結構性 LTA」。報導指出,三星、SK 海力士、美光三大原廠 2026 年的 HBM3E/HBM4 與 DDR5 主力產能「全部售罄」,CSP 端為了確保 AI 算力擴張計畫不被記憶體缺料拖垮,寧願提前以溢價鎖量,把單一合約年限拉長到 24 個月以上。TrendForce 在 6 月 11 日的報告中也驗證同一觀察:「AI server 需求支撐 2Q26 記憶體合約價格上行,CSP 藉長約鎖定供貨」,並點名 SanDisk 已敲定多年期 LTA、單季獲利年增逾 600% 為市場風向球。

合約價的漲勢已不是季增個位數可以形容。Tom's Hardware 引述 TrendForce 數據指出,第 2 季 DRAM 合約價預估季增 63%、NAND 季增最高 75%,延續第 1 季 95% 的驚人漲幅;TrendForce 進一步示警,NOR Flash 與 SLC NAND 在 1H26 的結構性短缺下,合約價漲幅「超過 100%」,2H26 還會續漲。自由財經報導,集邦預估第 2 季一般型 DRAM 合約價季增 58% 至 63%;Reuters 6 月 12 日則以「記憶體晶片廠股價隨全球供應短缺而上漲」為題,描繪這場漲價已經從 AI 用的 HBM 擴散到消費性 PC、手機與車用記憶體。Bloomberg 6 月 13 日更大動作以「Rampant AI Demand for Memory Is Fueling a Growing Chip Crisis」為題,直指「AI 對記憶體的貪婪需求正醞釀一場成長中的晶片危機」。

這場危機最直接的受害者是次要料件。DIGITIMES 報導指出,HBM 占用先進製程產能後,DDR4 與 DDR5 的供給「慘遭 HBM 輾壓」,連帶讓工業用、消費用與商用 PC 的記憶體供應吃緊;台廠凌航(2344)執行長在 COMPUTEX 法說會上公開表示,DDR4 與 DDR5 缺貨潮將一路延續到 2028 年。Cnyes 鉅亨網同步報導,凌航訂單能見度已排到 2028 年下半年,執行長預估下半年 DRAM 將再漲 3 成、NAND 漲 6 至 7 成;MoneyDJ 引述凌航看法強調「缺貨至 2028」,東森電視亦報導,凌航目前 CSP 客戶正洽談 2028 年合約,庫存水位僅 3 至 4 個月。TechNews 科技新報分析,凌航透過合約調價與高毛利產品組合,已把獲利能見度直接看到 2028 年。

長期合約結構也徹底改寫記憶體產業的「週期詛咒」。TradingKey 6 月 12 日報導,三星與 SK 海力士已將合約年期由原本 1 年滾動改為 3 至 5 年「結構性 LTA」,目的是打破過去 40 年 DRAM 市場「漲多必跌」的循環宿命;The Korea Herald 與 Chosunbiz 同步報導,三星甚至預估本季營業利潤上看 130 兆韓元,主因就是 HBM 與 LTA 鎖量讓營收能見度延伸到 2028 年。SemiAnalysis 以「Memory Mania: How a Once-in-Four-Decades Shortage Is Fueling a Memory Boom」為題分析,這是 40 年來最嚴重的一次結構性短缺;UncoverAlpha 進一步以「Every Memory Cycle Ends the Same. Until It Doesn't.」為題,質疑本輪循環是否會是記憶體史上第一次「不按劇本收場」。

封測與上游供應鏈同樣被捲入。DIGITIMES 6 月 12 日報導,封測廠力成(6239)為因應長約趨勢,宣布擴產 FOPLP 並擬重啟 HBM 封裝業務,目標 2027 年貢獻營運動能;Sourceability 6 月報告則指出,AI 需求帶動的供應鏈壓力已蔓延到 MLCC、矽電容、功率元件等被動元件,交期從 12 週拉長到 40 至 52 週。Nikkei Asia 從供應面補充,「中國 CXMT 與 YMTC 將在 AI 缺口下大幅擴產」,企圖以 DDR4 與 DDR5 成熟製程填補市場,但短期內對緩解 HBM 短缺幫助有限。Wccftech 引述業界消息,三星甚至為了挪出 HBM 產線而調整 DRAM 投片組合,正是 LTA 結構帶來的「產能排擠效應」最直接寫照。

風險面也同步升高。Barron's 6 月 12 日警示,Micron 雖受惠 AI 浪潮,但當超級循環進入末段時股價波動風險將放大;今周刊與商周則提醒,記憶體概念股中並非全面受惠,部分以 DDR4、消費性 NAND 為主的廠商將被 HBM 排擠效應持續壓抑毛利。工商時報報導,美光有意重啟 DDR4 擴產,威剛董事長陳立白則以「缺貨到 2028 年」回應;黃仁勳近期對記憶體供應的發言,也被市場解讀為對 LTA 結構的背書與對產能吃緊的確認。整體而言,當 2027 年合約幾乎已被 CSP 鎖死、2028 年訂單又接續上門,台灣記憶體模組廠、封測與上游封裝材料鏈將同步受惠,但市場也開始為「超級循環何時降溫」預留避險空間。

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