中國 InP 有限放行難紓緩　供應鏈搶料備戰 2027~2028 年

「有限放行」訊號首度出現於 6 月 9 日，當時市場解讀為中國商務部對 InP 軍民兩用物項管制的實質鬆綁，帶動全新（2455）、環宇-KY（4994）當日聯袂攻上漲停。然而 DIGITIMES 6 月 22 日報導指出，實際運作三週後，業者感受到的是「有放行、沒放夠」：6 月初新批的 InP 出口許可，首批實際核發量僅約市場需求 30~40%，且中國商務部仍保留「逐案審批」與「配額制」雙軌機制，每家下游客戶須逐筆申請、用量還要按季核撥。富聯網整理 DIGITIMES 觀點指出，這代表「有限放行」並非全面解禁，而是把出口管制從「全面凍結」轉換成「精準配給」，供應鏈實質吃緊的問題並未解決。

搶料備戰的第一線訊號，出現在台廠第二季法說會前。DIGITIMES 報導，聯亞（3081）、全新、宏捷科（8086）已緊急啟動 InP 基板安全庫存拉貨，備貨天數從過去 8~10 週一口氣拉高至 16~20 週；VPEC（2455）也把 Q3 設備 CAPEX 提前一季落地，優先採購 6 吋 InP MOCVD 機台以擴增磊晶產能。經濟日報報導，富采（3714）因切入磷化銦商機，股價連續漲停鎖死、單日排隊買單達 6.8 萬張；台灣好新聞引述法人報告指出，聯亞 2026 年 EPS 年增率上看 34%，3 月營收已連 8 月年月雙增、連 15 月年增。DIGITIMES 觀察指出，這波拉貨潮與先前 PA 三雄（穩懋、全新、宏捷科）的「題材行情」不同，缺料是「真實瓶頸」而非題材炒作，後續關鍵在實際到貨量與 Q2 法說會展望。

供應鏈之所以急著在 Q3 卡位，是因為 2027~2028 年的需求能見度已經浮現。DIGITIMES 指出，2027 年將是 1.6T 光通訊模組爆發元年，DR8 架構單一模組需搭載 8 顆 EML（電吸收調變雷射）、每顆 EML 都需一片 InP 基板，相較 400G 模組 InP 用量呈倍數跳升；NVIDIA Vera Rubin 576-GPU 平台、Google TPU v7 與 AMD MI400 採用的 CPO（共封裝光學）架構，將 InP 雷射晶粒直接與交換 ASIC 共封裝，InP 用量預估為傳統可插拔模組的 8~10 倍。SemiAnalysis 在 CPO 專書中分析，2027~2028 年全球 InP 磊晶需求將進入「超級週期」，年複合成長率上看 45%；Lumentum 已宣告 2028 年前的 InP 雷射訂單全部售罄，結構性供需緊張仍未完全緩解。

然而新增產能要 2027 下半年才會開出，這中間的「空窗期」是供應鏈最焦慮的一段。DIGITIMES 6 月 12 日報導，Coherent 於德州 Sherman 投資 20 億美元新建 InP Fab 已正式動土，目標 2027 年下半年量產鎖定 NVIDIA Vera Rubin 平台；美國商務部透過 CHIPS Act 提供最高 5,000 萬美元補助，可創造約 1,000 個工作機會。日本 Sumitomo Electric 4 月與 LandMark 簽訂 5 年長約取得 InP 基板優先供應權；英國 IQE 在 Cardiff 廠擴增 6 吋 InP 磊晶產能，並於 6 月與高塔半導體（Tower Semiconductor）達成多年期 Epiwafer 供應協議。DIGITIMES 與富聯網均提醒，2027 上半年的 InP 缺口，將決定台廠是「靠庫存度過空窗」還是「被配額制綁死」，這也是為何 Q3 搶料備戰成為業界共識。

中國政策風險仍是最大變數。Reuters 6 月報導指出，中國商務部對銦（InP 原料）的出口檢查持續加嚴，可能進一步將 InP 與 GaAs（砷化鎵）列入更嚴格的「軍民兩用物項」黑名單，並對第三地轉口祭出 long-arm 管制；Tekedia、Geopolitical Monitor、Discovery Alert 等多家外媒同步示警，美國 AI 與國防應用高度依賴中國 InP，若中國將出口管制升級至「全禁」層級，全球 AI 資料中心 1.6T 光通訊建置時程將延後 6~9 個月。DIGITIMES 也指出，Google 已率領 CSP 從「成本優先」轉向「供應安全優先」，主動分散 InP 基板來源，未來 12 個月能否順利跨越「有限放行→精準配給→全面重組」三階段，將是 InP 行情延續與否的核心關鍵。