美日台ZAM記憶體聯盟成形：力積電與愛普加入 挑戰南韓HBM霸主地位
美日台三方合作開發新架構記憶體ZAM（Zero-Access Memory），力積電與愛普正式加入陣營，試圖打破南韓三星與SK海力士在高頻寬記憶體（HBM）市場的主導格局。南韓最大報紙之一的朝鮮日報以「挑戰南韓HBM霸權」為題大幅報導這項進展。
ZAM是什麼：美日台聯手的自主記憶體架構
ZAM（Zero-Access Memory）是一種新興記憶體架構，設計目標是減少傳統HBM在記憶體控制器與晶片之間的資料傳輸功耗與延遲瓶頸。根據半導體分析機構SemiVision的報告，ZAM採用「近記憶體運算」（Processing-in-Memory）概念，在記憶體封裝內整合簡化邏輯層，減少資料在記憶體與處理器之間的往返次數。Intel與SoftBank在2026年初率先推動此架構標準化，並邀請台灣記憶體廠加入。
自由財經引述業界消息，美日台三方已組成ZAM標準工作小組，成員涵蓋Intel（提供主控層IP）、SoftBank（提供系統架構整合）、力積電（提供晶圓代工製造）、愛普（提供特殊記憶體IP）。這個小組的短期目標是2027年發表第一版ZAM規格書，中期目標是2028~2029年進入量產階段。
為何南韓如此關注：ZAM威脅HBM霸主地位
朝鮮日報（Chosun Ilbo）以頭版篇幅報導，ZAM陣營的成立對南韓記憶體產業是「結構性威脅」。三星與SK海力士合計控制全球HBM市場約92%的份額，NVIDIA、AMD、CSP的AI GPU皆離不開這兩家的HBM3e供應。若ZAM架構在功耗與延遲上驗證優於傳統HBM，CSP可能開始將部分訂單轉向ZAM供應商，稀釋南韓廠商的議價能力。
SK海力士已宣布2026年將量產12層HBM3e並研發16層HBM4，以拉開與競爭對手的技術差距。三星則同時佈局CXL（Compute Express Link）記憶體擴展介面，試圖在記憶體互連標準上維持話語權。南韓業界人士分析：「ZAM現在還在紙上談兵階段，真正量產仍有不確定性，但我們不能重蹈PC DRAM當年被台灣廠蠶食的覆轍。」
力積電與愛普的角色：台灣記憶體設計的深化
力積電（PSMC）是以晶圓代工為主力的記憶體與邏輯混雜製造商，其在ZAM聯盟中的角色是提供記憶體堆疊與封裝的製造產能。愛普（APmemory）則是利基型記憶體IP設計公司，專注於低功耗與特殊規格記憶體，過去在物聯網與穿戴式市場有所著墨。這次加入ZAM聯盟，代表台灣記憶體廠從「純代工製造」升級至「共同規格制定」的戰略地位。
經濟部對此表示支持，並規劃將ZAM納入「台灣先進記憶體自主供應鏈」補助計畫。未來3年若ZAM量產進度順利，力積電與愛普有望獲得新台幣20億元的研發補助，用於添購12吋晶圓級封裝設備。
📖 參考來源（fanout: Google News RSS 雙語，2026-06-28）
自由財經 — 朝鮮日報：台美日合作開發新AI記憶體ZAM 挑戰南韓HBM霸主地位樂聯網 — 美日台合力研發ZAM新記憶體 挑戰南韓高頻寬記憶體主導地位
조선일보 (Chosun) — U.S.-Japan Challenge Korea's Memory Leadership with ZAM
SemiVision — Can ZAM Replace HBM? Intel and SoftBank Push Radical Memory Architecture
經濟日報 — 愛普新品搭上AI推理熱潮
DIGITIMES — 力積電、愛普加入美日台ZAM梯隊成形 挑戰HBM南韓霸權？